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背照式和堆栈式速度(发散式构图摄影属于)

一般来说呀,传感器的结构一共分为五层:透镜层,滤片层,电路排线层,感光层和基板层。

具体的前照式结构和背照式结构的不同如下所示

前照式和背照式的主要区别在于电路层的位置,前照式在感光层之上,背照式在感光层之下

这样一个小小的顺序变化带来的结果如下

前照式传感器需要穿过电路层才能到达感光层,所以因为电路层的遮挡,实际到达感光层的只有70%甚至更少

而且电路层因为是金属,所以还会有各种反光和杂光对感光层进行扰。

相反,背照式传感器因为电路层在感光层下方,所以直接可以照到感光层上,没有电路层的遮挡和扰,大的了传感器的效率

为明显的改变就是低照度下的成像质量会很多。

这么简单的改进,为什么不早点做呢?

实际上,这样小的改动,就要求受光层的基板要非常薄,大概是传统传感器基板的百分之一,对生产制造工艺要求非常高,所以近几年才开始出现背照式传感器。

那什么是非堆栈和堆栈式传感器呢?

传统的传感器制造是把像素区和电路去蚀刻在一块晶圆上,但在蚀刻时,会有一个问题,对于像素区域的制造工艺,是可以使用65nm的制程的

但对于处理电路的区域,65nm的制程是不够的,如果能用45nm的制程制造,那么在处理电路上的晶体管数量就能翻倍,这样,像从像素处理出来的速度就更快,画质就能更好。

但因为在同一片硅片上进行蚀刻,没法使用两个制程来制造。

那如果将这两个区域分开,像素区域放在一个硅片上,用65nm制程制造;

处理电路放在另一个硅片上,用45nm制程制造;

再将它们堆叠拼起来,那这个矛盾就解决了。

这就是堆栈式传感器。

有了堆栈式的结构,我们能在处理电路得到更多的晶体管,拥有更快的速度。

因此,原来不容易实现的HDR、格等,现在变得很常见。

读出速度也变得更快,因此果冻效应更小。

而且,由于将像素区域和处理电路区域堆叠,像素区域能做得更大。

说白了,非堆栈式传感器电路和感光件是绑在一起的,吃大锅饭,效率不高,堆栈式将他们分开,各司其职,获得了更大的效率。

那么背照+堆栈式=背照堆栈式传感器,这类传感器既拥有更好的像质量,又拥有更高的工作效率,带来的就是现今数码相机能的突飞猛进。

这下大家知道了吧。

看没看懂都希望在区看到你哟~

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本文标题:背照式和堆栈式速度(发散式构图摄影属于)

发布地点:广东